发明名称 |
发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件 |
摘要 |
本发明是有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件,该发光二极管组件是包含一组件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、多个第一沟部、一第二沟部、一绝缘层、一第一接点及一第二接点。该发光二极管组件的特征在于,该第二沟部串接该等第一沟部的一端并贯穿该第二型掺杂层及该发光层,且裸露部分该第一型掺杂层,增加该第一接点与该第一型掺杂层接触的面积,使该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题,并且不会使该发光二极管组件的发光面积变小,而产生该发光二极管组件的发光效率降低的问题。而本发明的发光二极管组件可倒覆于一封装基板进行覆晶封装,以形成一覆晶式发光二极管封装组件。 |
申请公布号 |
CN103296166B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201210085430.9 |
申请日期 |
2012.03.21 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 |
发明人 |
黄逸儒;吴志凌;罗玉云;苏柏仁 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种发光二极管组件,其特征在于,包含:一组件基板;一第一型掺杂层,配置于该组件基板上;一发光层,配置于该第一型掺杂层上;一第二型掺杂层,配置于该发光层上;多个第一沟部,其贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面,其中每一第一沟部具有一第一端及一第二端;一第二沟部,串接该多个第一沟部的该第一端,该第二沟部的延伸方向不同于该多个第一沟部的延伸方向,该第二沟部贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面;一绝缘层,配置于部分该第二型掺杂层上并延伸至该多个第一沟部及该第二沟部的侧壁;一第一接点,配置于该多个第一沟部及该第二沟部内并与该第一型掺杂层电性连接;及一第二接点,配置于该第二型掺杂层上且与该第二型掺杂层电性连接;其中,该第二沟部与该第二型掺杂层的边缘之间具有一间距,且该第二沟部与该发光层的边缘之间也具有一间距。 |
地址 |
中国台湾台南市台南科学园区大利三路5号 |