发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,防止裸片键合材料的流出,且半导体器件的质量和可靠性得到提高。该半导体器件包括:焊片、配置在焊片周围的多根引线、配置在焊片的芯片支撑表面上的银浆料和通过银浆料安装在焊片上的半导体芯片。还包括将半导体芯片的焊盘和引线电连接起来的多根导线、和进行半导体芯片和导线的树脂密封的密封体。通过在焊片的芯片支撑表面的边缘部分上形成高度比芯片支撑表面低的台阶部分,从焊片突出的银浆料可停留在该台阶部分上。结果,可以防止银浆料流出到密封体的背面。
申请公布号 CN103295995B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201310224828.0 申请日期 2008.08.12
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 天野贤治;长谷部一
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 欧阳帆
主权项 一种半导体器件,包括:(a)多根引线,所述多根引线中的每一根引线具有第一上表面、在第一上表面的端部处形成的第一台阶部分以及与第一上表面相对的第一下表面,其中第一台阶部分具有布置在引线的与第一上表面相同的一侧的第二上表面、以及与第二上表面相对的第二下表面,以及其中第一上表面是没有沟槽的平坦表面;(b)芯片安装部分,所述芯片安装部分在断面图中被布置在彼此相邻的引线之间,其中所述芯片安装部分具有布置在与第一上表面相同一侧的芯片支撑表面、在平面图中在芯片支撑表面的外缘部分处形成的第二台阶部分、以及与芯片支撑表面相对的背面;以及其中所述第二台阶部分具有布置在与芯片支撑表面相同一侧的第三上表面、以及与第三上表面相对的第三下表面;(c)半导体芯片,所述半导体芯片具有正面、在正面上形成的多个电极和与正面相对的背面,并且经由浆料材料被安装在所述芯片安装部分的芯片支撑表面之上,以使得在平面图中,在断面图中位于第一上表面与第一下表面之间的第一台阶部分的第二上表面、以及在断面图中位于芯片支撑表面与背面之间的第二台阶部分的第三上表面两者都与所述半导体芯片的背面交叠;(d)多根导线,所述多根导线将电极分别与所述引线电连接,其中每根导线与所述引线中的相应一根引线的第一上表面连接;以及(e)密封体,密封所述半导体芯片、所述导线和所述芯片安装部分以使得从密封体露出每根引线的第一下表面和所述芯片安装部分的背面,其中每根引线的第一台阶部分面向所述芯片安装部分,并且第二台阶部分也被形成在所述芯片支撑表面的外缘部分处以使得第一台阶部分和第二台阶部分彼此面对,其中第一台阶部分的第二上表面与第二台阶部分的第三上表面被布置在彼此相同的高度,其中第一上表面的宽度大于第一下表面的宽度,其中所述多根引线中的每一根引线在平面图中沿第一方向延伸,其中第一上表面的宽度和第一下表面的宽度中的每一个是在平面图中沿垂直于第一方向的第二方向延伸的长度,以及其中在平面图中所述芯片安装部分的尺寸小于所述半导体芯片的尺寸。
地址 日本东京