| 发明名称 | DRAM子阵列级自动刷新存储器控制器优化 | ||
| 摘要 | 刷新动态随机存取存储器(DRAM)的方法包括检测该DRAM的处在一DRAM条的行处的打开页在该DRAM条的打开子阵列内。该方法还包括当该DRAM条的目标刷新行在该DRAM条的打开子阵列内时，延迟向该DRAM条的该目标刷新行发布刷新命令。 | ||
| 申请公布号 | CN105378847A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201480039303.2 | 申请日期 | 2014.05.20 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | D·V·斯里拉玛吉利;J·徐;X·董 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01)I;G06F13/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
| 主权项 | 一种刷新动态随机存取存储器(DRAM)的方法，包括：检测所述DRAM的处在DRAM条的行处的打开页位于所述DRAM条的打开子阵列内；以及当所述DRAM条的目标刷新行在所述DRAM条的所述打开子阵列内时，延迟向所述DRAM条的所述目标刷新行发布刷新命令。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||