发明名称 薄膜晶体管的制造方法
摘要 一种薄膜晶体管的制造方法,包括:于基板上形成栅极电极;于基板上形成栅极绝缘层覆盖栅极电极;于栅极绝缘层上形成通道层,且通道层位于栅极电极上方,其中该通道层具有一第一部位与一第二部位,并且该第一部位与该第二部位彼此不相连;于栅极绝缘层上形成蚀刻阻挡层覆盖通道层并使通道层的第一部位显露于外;于栅极绝缘层上形成第一电极覆盖并接触第一部位;去除部分蚀刻阻挡层以暴露通道层的第二部位;于栅极绝缘层上形成第二电极覆盖并接触第二部位。
申请公布号 CN105374687A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201410787400.1 申请日期 2014.12.17
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 张锡明;黄彦馀
分类号 H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 王玉双;尚群
主权项 一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:于一基板上形成一栅极电极;于该基板上形成一栅极绝缘层,其中该栅极绝缘层覆盖该栅极电极;于该栅极绝缘层上形成一通道层,其中该通道层具有一第一部位与一第二部位,并且该第一部位与该第二部位彼此不相连;于该栅极绝缘层上形成一蚀刻阻挡层,其中该蚀刻阻挡层覆盖部分该通道层并暴露该通道层的该第一部位;于该栅极绝缘层上形成一第一电极,其中该第一电极覆盖并接触该通道层的该第一部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位;去除部分该蚀刻阻挡层,以暴露该通道层的该第二部位;以及于该栅极绝缘层上形成一第二电极,其中该第二电极覆盖并接触该通道层的该第二部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位。
地址 中国台湾桃园县八德市和平路1127号