发明名称 Ag合金溅射靶
摘要 本发明提供一种能够稳定地进行DC溅射的Ag合金溅射靶。本发明的Ag合金溅射靶具有含有0.1~1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成的组成,氧浓度为50质量ppm以下,在靶的厚度方向整个区域,通过超声波探伤装置测定的空隙压坏部的面积率相对于溅射表面的面积为1.0×10<sup>-4</sup>以下。
申请公布号 CN105378140A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201480038329.5 申请日期 2014.05.27
申请人 三菱综合材料株式会社 发明人 野中庄平;小见山昌三
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I;H05B33/24(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 一种Ag合金溅射靶,其特征在于,其具有如下组成:含有0.1~1.5质量%的In,剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成,作为不可避免的杂质,氧浓度为50质量ppm以下,在靶的厚度方向整个区域,通过超声波探伤装置测定的空隙压坏部的面积率,相对于溅射表面的面积为1.0×10<sup>‑4</sup>以下。
地址 日本东京