发明名称 |
一种组合光电二极管及其环境光传感器 |
摘要 |
本发明提供一种组合光电二极管,包括:具有第一掺杂类型的半导体衬底;第一光电二极管,包括:第一深阱,位于半导体衬底中且具有第二掺杂类型,第三阱,位于半导体衬底中第一深阱的上方,具有第一掺杂类型,第三阱的结深和表面积分别小于第一深阱的结深和表面积,第三阱和第一深阱的交界处形成第一PN结,第一深阱和半导体衬底的交界处形成第二PN结,与半导体衬底接触的第一阳极,与第一深阱和第三阱接触的第一阴极;和第二光电二极管,包括:第二深阱,位于半导体衬底中,且具有第二掺杂类型,第二深阱和半导体衬底的交界处形成第三PN结,与半导体衬底接触的第二阳极,与第二深阱接触的第二阴极。该组合光电二极管可以实现人眼感光特性。 |
申请公布号 |
CN103187473B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201110453863.0 |
申请日期 |
2011.12.29 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
邵光云;汪立;傅璟军;胡文革 |
分类号 |
H01L31/11(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种组合光电二极管,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一掺杂类型;第一光电二极管,包括:第一深阱,所述第一深阱位于所述半导体衬底中,且具有第二掺杂类型,第三阱,所述第三阱位于所述半导体衬底中所述第一深阱的上方,具有第一掺杂类型,所述第三阱的结深和表面积分别小于所述第一深阱的结深和表面积,所述第三阱和所述第一深阱的交界处形成第一PN结,所述第一深阱和所述半导体衬底的交界处形成第二PN结,第一阳极,所述第一阳极与所述半导体衬底接触,第一阴极,所述第一阴极与所述第一深阱和所述第三阱接触;和第二光电二极管,包括:第二深阱,所述第二深阱位于所述半导体衬底中,且具有第二掺杂类型,所述第二深阱和所述半导体衬底的交界处形成第三PN结,第二阳极,所述第二阳极与所述半导体衬底接触,第二阴极,所述第二阴极与所述第二深阱接触。 |
地址 |
518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 |