发明名称 一种组合光电二极管及其环境光传感器
摘要 本发明提供一种组合光电二极管,包括:具有第一掺杂类型的半导体衬底;第一光电二极管,包括:第一深阱,位于半导体衬底中且具有第二掺杂类型,第三阱,位于半导体衬底中第一深阱的上方,具有第一掺杂类型,第三阱的结深和表面积分别小于第一深阱的结深和表面积,第三阱和第一深阱的交界处形成第一PN结,第一深阱和半导体衬底的交界处形成第二PN结,与半导体衬底接触的第一阳极,与第一深阱和第三阱接触的第一阴极;和第二光电二极管,包括:第二深阱,位于半导体衬底中,且具有第二掺杂类型,第二深阱和半导体衬底的交界处形成第三PN结,与半导体衬底接触的第二阳极,与第二深阱接触的第二阴极。该组合光电二极管可以实现人眼感光特性。
申请公布号 CN103187473B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201110453863.0 申请日期 2011.12.29
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 邵光云;汪立;傅璟军;胡文革
分类号 H01L31/11(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L31/11(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 张大威
主权项 一种组合光电二极管,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一掺杂类型;第一光电二极管,包括:第一深阱,所述第一深阱位于所述半导体衬底中,且具有第二掺杂类型,第三阱,所述第三阱位于所述半导体衬底中所述第一深阱的上方,具有第一掺杂类型,所述第三阱的结深和表面积分别小于所述第一深阱的结深和表面积,所述第三阱和所述第一深阱的交界处形成第一PN结,所述第一深阱和所述半导体衬底的交界处形成第二PN结,第一阳极,所述第一阳极与所述半导体衬底接触,第一阴极,所述第一阴极与所述第一深阱和所述第三阱接触;和第二光电二极管,包括:第二深阱,所述第二深阱位于所述半导体衬底中,且具有第二掺杂类型,所述第二深阱和所述半导体衬底的交界处形成第三PN结,第二阳极,所述第二阳极与所述半导体衬底接触,第二阴极,所述第二阴极与所述第二深阱接触。
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