一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。

主权项

一种具有DBR反射结构的紫外发光二极管装置的制作方法，其包括：步骤1、生长外延结构，所述外延结构按照自下而上顺序包括低温AlN成核层(121)、高温AlN模板层(122)、n型AlGaN势垒层(13)、有源区(14)、高Al组分p型AlGaN势垒层(151)、低Al组分p型AlGaN势垒层或Al组分渐变减小的p型AlGaN势垒层(152)、p型GaN冒层(16)；步骤2、从顶部的部分p型GaN冒层(16)刻蚀至n型AlGaN势垒层(13)，形成n型AlGaN台面；步骤3、在未被刻蚀的p型GaN冒层(16)上光刻形成窗口区，并采用氯基ICP工艺刻蚀所述窗口区至低Al组分p型AlGaN势垒层或Al组分渐变减小的p型AlGaN势垒层(152)的表面或表面以下，形成反射窗口，并且保留一部分p型GaN冒层(16)未被刻蚀；步骤4、在所述反射窗口区交替生长一定厚度的两种高、低折射率材料，构成DBR高反射结构(19)；步骤5、在所述n型AlGaN台面上制作n型欧姆接触电极(17)；步骤6、在所述保留的一部分p型GaN冒层(16)上制作p型电极，完成所述紫外发光二极管装置的制作。