制备有机卤硅烷的方法

摘要

本发明涉及制备有机卤硅烷的方法。该方法包括在包含铜的直接法催化剂和助催化剂的存在下，在250-350℃的温度下在反应器中使包含0.08-0.25％(w/w)的铝的第一细碎硅与有机卤化物接触；及根据需要以足以维持基于未反应的硅和铝的重量的0.08-0.2％(w/w)的铝浓度的量将包含0.001至＜0.10％(w/w)的铝的第二细碎硅引入反应器中。

主权项

一种制备有机卤硅烷的方法，所述方法包括：(i)在包含铜的直接法催化剂和助催化剂的存在下，在250‑350℃的温度下在反应器中使包含0.08‑0.25％(w/w)的铝的第一细碎硅与有机卤化物接触；及(ii)根据需要以足以维持基于未反应的硅和铝的总重量的0.08‑0.2％(w/w)的铝浓度的量将包含0.001至<0.10％(w/w)的铝的第二细碎硅引入所述反应器中，其中所述方法产生特征为式R_aH_bSiX_4‑a‑b(II)的有机卤硅烷，其中R是1至10个碳原子的烃基，X是卤素，a具有1、2或3的值；b具有0、1或2的值；且a+b具有1、2或3的值。