发明名称 膜表面处理方法及装置
摘要 本发明在提高用于偏振板的保护膜等的树脂制的被处理膜的粘接性的同时,提高通过粘接而形成的偏振板等膜层叠体的耐热水性。第一处理部(91)中,使含有聚合性单体及交联性添加成分的第一气体与被处理膜(9)接触(第一处理工序)。在第一处理工序后或与第一处理工序并行地,使氮气等放电生成气体进行等离子体化,而与被处理膜(9)接触(第二处理工序)。将交联性添加成分相对于聚合性单体的含有率设定在规定范围内,优选将上述含有率设定在0.5wt%~10wt%。上述交联性添加成分优选为二烯丙基化合物、炔化合物、或硅醇盐化合物。可以向上述放电生成气体中加入0.5vol%以下的氧气。
申请公布号 CN103619926B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201280030972.4 申请日期 2012.08.27
申请人 积水化学工业株式会社 发明人 村上淳之介;中野良宪;长谷川平
分类号 C08J7/18(2006.01)I;C08J7/00(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I;G02B5/30(2006.01)I 主分类号 C08J7/18(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 蒋亭
主权项 一种膜表面处理方法,其特征在于,是在树脂制的被处理膜的表面上使聚合性单体进行等离子体聚合,从而在所述表面使所述聚合性单体的聚合物进行被膜的膜表面处理方法,且所述膜表面处理在1.013×10<sup>4</sup>~50.663×10<sup>4</sup>Pa的压力下进行;该膜表面处理方法具备:第一处理工序,使含有经气化的所述聚合性单体和能够使所述聚合物进行等离子体交联的交联性添加成分的第一气体,与第一处理空间内的所述被处理膜接触,第二处理工序,在所述第一处理工序之后,使放电生成气体进行等离子体化,而与第二处理空间内的所述被处理膜接触,和搬送工序,按照将所述被处理膜经过第一处理空间而通过所述第二处理空间的方式搬送;其中,将所述第一气体中的所述交联性添加成分的相对于所述聚合性单体的含有率调节至0.5wt%~10wt%,所述被处理膜由三乙酰纤维素、聚丙烯、聚乙烯、环烯烃聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、或聚酰亚胺形成,所述聚合性单体为具有不饱和键及规定的官能团的单体,所述规定的官能团为羟基、羧基、乙酰基、碳数1~10的酯基、磺(酸)基、或醛基,所述交联性添加成分为选自具有2个以上不饱和键的不饱和烃化合物、具有三键的不饱和烃化合物、硅醇盐化合物、或钛醇盐化合物中的至少1种。
地址 日本大阪