| 发明名称 | 一种实现忆容器电容特性的模拟电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种实现忆容器电容特性的模拟电路，该电路包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3，集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通，再通过加法运算实现加法电路，再通过反相比例运算实现信号的反相，最后再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方，乘法器U3用于实现信号的相乘，将集成运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘，最终得到电荷量。该模拟电路只含1个集成运放和2个乘法器，结构简单。 | ||
| 申请公布号 | CN105373679A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510916745.7 | 申请日期 | 2015.12.10 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 王光义;臧寿池;王晋 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人 | 杜军 |
| 主权项 | 一种实现忆容器电容特性的模拟电路，包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3，其特征在于：集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通，再通过加法运算实现加法电路，再通过反相比例运算实现信号的反相，最后再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方，乘法器U3用于实现信号的相乘，将集成运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘，最终得到电荷量。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||