| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有通孔；在所述基底表面、通孔底部和侧壁表面形成金属层；提供光刻处理腔室，所述光刻处理腔室内的压强与光刻处理腔室外的压强具有压强差，在所述光刻处理腔室内采用压强差光刻工艺，在部分金属层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层。本发明提高形成的光刻胶层的质量，避免光刻胶层的厚度过薄或断裂，避免对通孔底部和侧壁表面的金属层造成不必要的刻蚀，提高形成的再分布层的质量，从而提高半导体结构的可靠性及电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105374742A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201410443233.9 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何作鹏;丁敬秀 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有通孔；在所述基底表面、通孔底部和侧壁表面形成金属层；提供光刻处理腔室，所述光刻处理腔室内的压强与光刻处理腔室外的压强具有压强差；在所述光刻处理腔室内，采用压强差光刻工艺在部分金属层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；在形成所述再分布层后，去除所述光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||