发明名称 存储器电路及其刷新方法
摘要 本发明提供一种存储器电路及其刷新方法。该存储器电路包括存储器阵列以及存储器控制器。该存储器阵列具有多个存储器区块,其中每一该存储器区块对应设置多个字线。该存储器控制器输出存取指令以定址所述字线而存取该存储器阵列。该存储器控制器每当输出刷新指令,则在刷新周期中循序地对每一所述存储器区块进行刷新操作。其中于该刷新周期,该存储器控制器于至少第一时间点,中断该刷新操作而对所述存储器区块中的第一存储器区块进行强制刷新操作,之后再回复该刷新操作;或是其中该存储器控制器每隔特定时间,从所述存储器区块中找出于该特定时间内被存取次数最多的第二存储器区块,以进行该强制刷新操作,从而减少数据遗失问题。
申请公布号 CN105374389A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201410386130.3 申请日期 2014.08.07
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 张昆辉
分类号 G11C11/406(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 王天尧
主权项 一种存储器电路,其特征在于,包括:一存储器阵列,具有多个存储器区块,其中每一该存储器区块对应设置多个字线;以及一存储器控制器,输出一存取指令以定址所述字线而存取该存储器阵列;该存储器控制器每当输出一刷新指令,则在一刷新周期中循序地对每一所述存储器区块进行刷新操作;其中于该刷新周期,该存储器控制器于至少一第一时间点,中断该刷新操作而对所述存储器区块中的一第一存储器区块进行一强制刷新操作,之后再回复该刷新操作;或是其中该存储器控制器每隔一特定时间,从所述存储器区块中找出于该特定时间内被存取次数最多的一第二存储器区块,以进行该强制刷新操作。
地址 中国台湾台中市