一种n面电极下沉的反极性AlGaInP发光二极管芯片

摘要

一种n面电极下沉的反极性AlGaInP发光二极管芯片，自下至上依次包括p面电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、p型电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、n型电流扩展层、窗口层、n面电极和n面焊盘；p面电极制备在衬底的底面；绝缘层上分布有开孔，反射镜层通过绝缘层上的开孔与p型电流扩展层接触；有源发光区是多量子阱或多异质结的结构；窗口层中设有深达n型电流扩展层上表面的开孔，n面电极设置在n型电流扩展层的上表面，且处于窗口层的开孔中。该芯片可以避免AlGaInP基LED窗口层的n面GaAs欧姆接触界面的光吸收，显著提升光提取效率，并显著提升器件的电流扩展能力。

主权项

一种n面电极下沉的反极性AlGaInP发光二极管芯片，自下至上依次包括p面电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、p型电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、n型电流扩展层、窗口层、n面电极和n面焊盘；其特征是：p面电极制备在衬底的底面；绝缘层上分布有开孔，反射镜层通过绝缘层上的开孔与p型电流扩展层接触；有源发光区是多量子阱或多异质结的结构；窗口层中设有深达n型电流扩展层上表面的开孔，n面电极设置在n型电流扩展层的上表面，且处于窗口层的开孔中。