一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备

摘要

本发明提供一种化学机械研磨方法和一种化学机械研磨设备。所述化学机械研磨方法包括：步骤S1：提供待研磨的顶层为Al栅极层的晶圆；步骤S2：将所述晶圆置于化学机械研磨设备中，用研磨垫和研磨液对所述晶圆的Al栅极层进行化学机械研磨；步骤S3：待将所述Al栅极层研磨至目标位置时，去除所述化学机械研磨时在所述晶圆背面施加的压力，将所述晶圆解除卡紧；步骤S4：在所述晶圆为解除卡紧的状态下，将所述研磨液或所述研磨液和H₂O₂的混合液喷洒在所述研磨垫上，以对所述研磨垫进行清洗；步骤S5：清洗完成后，从所述研磨垫中将所述晶圆移出。本发明的CMP法，与常规的CMP法相比，使得晶圆表面的划痕缺陷减少了50％以上。

主权项

一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供待研磨的顶层为Al栅极层的晶圆；步骤S2：将所述晶圆置于化学机械研磨设备中，用研磨垫和研磨液对所述晶圆的Al栅极层进行化学机械研磨；步骤S3：待将所述Al栅极层研磨至目标位置时，去除所述化学机械研磨时在所述晶圆背面施加的压力，将所述晶圆解除卡紧；步骤S4：在所述晶圆为解除卡紧的状态下，将所述研磨液或所述研磨液和H₂O₂的混合液喷洒在所述研磨垫上，以对所述研磨垫进行清洗；步骤S5：清洗完成后，从所述研磨垫中将所述晶圆移出。