| 发明名称 | 一种高致密铬钨合金靶材的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于粉末冶金材料制备技术领域，提供一种高致密铬钨合金靶材的制备方法。该铬钨合金靶材包括以下原子百分比的成分：铬80～99％，钨1～20％。该铬钨合金靶材的制备方法为：将钨粉还原后，和铬粉通过预合金粉末制备、装包套、脱气、热等静压、机加工等处理，获得所述铬钨合金靶材。本发明的铬钨合金靶材密度高(相对密度不小于99％)、组织均匀，晶粒细小(不大于50μm)；通过该靶材可用于电极触头材料等镀膜领域，制备具有高硬度、高耐电压强度、低截流值、可替代纯钨的薄膜材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105364074A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201410404763.2 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 安泰科技股份有限公司 | 发明人 | 张路长;张凤戈;郝权;姜海;唐培新;何向晖;赵雷;缪磊 |
| 分类号 | B22F3/15(2006.01)I;C22C27/06(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | B22F3/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人 | 刘春成;温泉 |
| 主权项 | 一种铬钨合金靶材，其特征在于，包括以下原子百分比的成分：铬80～99％，钨1～20％。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区学院南路76号 | ||