半导体光检测元件

摘要

准备n^-型半导体基板(1)，其含有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p⁺型半导体区域(3)。对n^-型半导体基板(1)的第2主面(1b)上的至少与p⁺型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n^-型半导体基板(1)的第2主面(1b)侧，形成具有比n^-型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n^-型半导体基板1进行热处理。

主权项

一种半导体光检测元件，其特征在于：具备：硅基板，具有由第1导电类型的半导体区域与第2导电类型的半导体区域所形成的pn结，在所述硅基板上，在该硅基板的一个主面侧形成有第1导电类型的累积层，并且在所述一个主面上的至少与所述pn结相对的区域上由脉冲激光的照射形成有使光的行进距离变长的不规则的凹凸，所述硅基板的所述一个主面上的与所述pn结相对的所述区域光学性露出，与由脉冲激光的照射形成有不规则的所述凹凸的所述一个主面相对的面为光入射面，从所述光入射面入射的光在所述硅基板内行进，并且所述半导体光检测元件为表面入射型，从所述光入射面入射，并在所述硅基板内行进的光由不规则的凹凸进行反射、散射或扩散，不规则的所述凹凸的高低差为0.5～10μm，不规则的所述凹凸中的凸部的间隔为0.5～10μm。