ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法，所述ONO结构包括：底层氧化层；位于底层氧化层上的氮化硅层，氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层，第一氮化硅层中包含D，第二氮化硅层中包含H；位于氮化硅层上的顶层氧化硅层。氮化硅层中的D能阻止H与底层氧化层界面处的Si结合成不稳定、极易断裂的Si-H键，并能与底层氧化层界面处的Si结合成Si-D键。Si-D键是一种稳定的化学键，使得氮化硅层与底层氧化硅层界面处不会产生界面陷阱或界面陷阱的密度较小，从而提高了ONO结构的电学性能。

主权项

一种ONO结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在基体上形成底层氧化层；在所述底层氧化层上形成氮化硅层，所述氮化硅层包括由ND₃作为反应物形成的第一氮化硅层、由NH₃作为反应物形成的第二氮化硅层，所述第一氮化硅层中包含D，所述第二氮化硅层中包含H；在所述氮化硅层上形成顶层氧化硅层；其中，所述氮化硅层的制作过程包括：向温度为650℃～760℃的反应腔室中通入反应气体，所述反应气体包括SiH₂Cl₂、NH₃，在所述底层氧化层上形成所述第二氮化硅层，形成的所述第二氮化硅层中包含H；向温度为650℃～760℃的反应腔室中通入反应气体，所述反应气体包括SiH₂Cl₂、ND₃，在所述第二氮化硅层上形成所述第一氮化硅层，形成的所述第一氮化硅层中包含D；或者，所述氮化硅层的制作过程包括：向温度为650℃～760℃的反应腔室中通入反应气体，所述反应气体包括SiH₂Cl₂、ND₃、NH₃，在所述底层氧化层上形成所述氮化硅层，所述氮化硅层包括混合掺杂在一起的所述第一氮化硅层、第二氮化硅层，所述氮化硅层中还包含D、H。