| 发明名称 | 嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；利用混合硅源制作盖帽层，所述混合硅源中至少包括二氯二氢硅以及另外一种硅源，且所述盖帽层制作过程中利用选择性刻蚀气体进行；对所述盖帽层进行硅注入工艺；对注入后的盖帽层进行退火工艺；对退火后的盖帽层进行镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题，防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应，改善因此带来的应力问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105374665A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510707870.7 | 申请日期 | 2015.10.27 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 谭俊;高剑琴;周海锋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；利用混合硅源制作盖帽层，所述混合硅源中至少包括二氯二氢硅以及另外一种硅源，且所述盖帽层制作过程中利用选择性刻蚀气体进行；对所述盖帽层进行硅注入工艺；对注入后的盖帽层进行退火工艺；对退火后的盖帽层进行镍硅化工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||