射频LDMOS器件

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件，包含：位于重掺杂衬底之上的轻掺杂的外延层；在轻掺杂外延层中，具有LDMOS器件的漂移区及沟道区，漂移区及沟道区交界处的外延层表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述漂移区中还含有LDMOS器件的漏区；所述多晶硅栅极之上覆盖有金属硅化物，金属硅化物之上覆盖Z字型法拉第屏蔽环，半覆盖在多晶硅栅极上方的金属硅化物上，其下端覆盖靠近多晶硅栅极的漂移区；法拉第屏蔽环通过接触孔引出到第一金属层，所述第一金属层还从跨过法拉第屏蔽层上方，与沟道引出区的接触孔及电下沉通道连接；所述漏极通过接触孔连接到第二金属层。本发明变更了法拉第屏蔽环的引出方式，降低了法拉第屏蔽环的电阻。

主权项

一种射频LDMOS器件，包含：一位于重掺杂衬底之上的轻掺杂的外延层；在轻掺杂外延层中，具有LDMOS器件的漂移区及沟道区，漂移区及沟道区交界处的外延层表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述漂移区中还含有LDMOS器件的漏区，通过接触孔引出形成漏极；所述沟道区中还含有沟道引出区与源区，沟道引出区与源区短接，并通过接触孔引出；所述多晶硅栅极之上覆盖有金属硅化物，金属硅化物之上覆盖法拉第屏蔽环；所述沟道引出区一侧还具有电下沉通道，所述电下沉通道底部连接到重掺杂衬底；其特征在于：所述法拉第屏蔽环呈Z字型，半覆盖在多晶硅栅极上方的金属硅化物上，其下端覆盖靠近多晶硅栅极的漂移区，且法拉第屏蔽环与外延层及多晶硅栅极、金属硅化物之间间隔有氧化层；法拉第屏蔽环通过接触孔引出到第一金属层，所述第一金属层还从跨过法拉第屏蔽层上方，与沟道引出区的接触孔及电下沉通道连接；所述漏极通过接触孔连接到第二金属层。