具有通触点的半导体器件及相关的制造方法

摘要

本发明涉及具有通触点的半导体器件及相关的制造方法，特别涉及一种半导体器件结构的设备及相关的制造方法。制造半导体器件结构的一种方法涉及形成覆盖形成在半导体基板中相邻栅极结构的掺杂区域的一层电介质材料并在所述层的电介质材料中形成导电触点。导电触点覆盖并电连接掺杂区域。所述方法通过形成覆盖导电触点的第二层的电介质材料、在覆盖导电触点的第二层中形成空隙区域、形成覆盖空隙区域的第三层的电介质材料、以及在第三层中形成覆盖第二层中的空隙区域的至少一部分的另一空隙区域来继续。所述方法通过形成填补这两个空隙区域以接触导电触点的导电材料来继续。

主权项

一种制造包括覆盖半导体基板的栅极结构及形成在所述的半导体基板中相邻所述的栅极结构的掺杂区域的器件的方法，所述方法包含：形成覆盖所述的掺杂区域122的第一层的电介质材料138,140；在所述的第一层的电介质材料138,140中形成导电触点152，所述导电触点152覆盖并电连接所述的掺杂区域122；形成覆盖所述的栅极结构110、所述的导电触点152、及所述的第一层的电介质材料138,140的第二层的电介质材料156；通过在所述的第二层的电介质材料156同时蚀刻触点开口158和栅极开口162以暴露所述的导电触点152和所述的栅极结构110，其中，所述的触点开口158暴露所述的导电触点152，具有等于或小于一的纵横比，以及具有实质上等于触点宽度的触点开口宽度，且其中，所述的栅极开口162暴露所述的栅极结构110，具有等于或小于一的纵横比，且具有实质上等于所述的栅极结构的宽度的栅极开口宽度；在覆盖所述的导电触点152的所述第二层156中形成第一空隙区域180；形成覆盖所述的第二层156的第三层的电介质材料166；在所述第三层166中形成第二空隙区域170，所述第二空隙区域170的至少一部分覆盖所述第一空隙区域180的至少一部分；以及在所述的第二空隙区域170中形成导电材料176，所述的导电材料176填补所述的第一空隙区域180以接触所述的导电触点152。