发明名称 一种纳米羟基磷灰石改性的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种纳米羟基磷灰石改性的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,而以季铵盐离子液体、无水乙醇等制备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力更低,反应活性高,对物料的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料气泡少,相互结合均匀牢固,流动性好,制得的坯体对热稳定,加入的纳米羟基磷灰石能有效的降低烧结温度,提高烧结致密度,改善基板力学性能,再结合烧结助剂及其它原料,使得制备得到的基板片杂质含量低,导热系数高,热膨胀系数低,精度高,可广泛的用做多种电路板基板。
申请公布号 CN105367073A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201510706736.5 申请日期 2015.10.27
申请人 合肥龙多电子科技有限公司 发明人 王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友
分类号 C04B35/582(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I 主分类号 C04B35/582(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 余成俊
主权项 一种纳米羟基磷灰石改性的氮化铝‑碳化硅复合电路板基板材料,其特征在于,该材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60‑70、碳化硅15‑20、季铵盐类离子液体10‑12、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh550 1‑2、纳米羟基磷灰石8‑10、氟化钙1‑2、异己二醇4‑5、聚乙二醇1‑1.5、烧结助剂6‑8。
地址 231600 安徽省合肥市肥东县新城开发区