| 发明名称 | 低k电介质膜的形成 | ||
| 摘要 | 本发明总体上涉及低k电介质膜的形成，描述了用于制备多孔低k电介质膜的方法和设备。在一些实现方式中，所述方法包括使基质内包含成孔剂的前体膜暴露于从弱氧化剂产生的等离子体。所述等离子体也可以包含还原剂物质。在一些实现方式中，所述等离子体是下游等离子体。所述方法的实现方式涉及通过暴露所述等离子体来选择性地去除硅-有机基质内共存的隔离的有机成孔剂的区域，同时保留与硅基质的主干键合的有机基团。所述方法还导致对所述电介质膜的低损坏。在一些实现方式中，等离子体暴露在暴露于紫外线(UV)辐射之后。 | ||
| 申请公布号 | CN105374676A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510477172.2 | 申请日期 | 2015.08.06 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 特洛伊·丹尼尔·里包多;乔治·安德鲁·安东内利 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：提供包括电介质基质和成孔剂的前体膜；使所述前体膜暴露于从包含还原剂和弱氧化剂的工艺气体产生的下游等离子体以去除成孔剂并且形成多孔电介质膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||