| 发明名称 | 一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极 | ||
| 摘要 | 本发明公开的Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极，包括基底以及分布于基底上的电极，其特征在于：所述电极中至少部分的材料为纳米线，所述纳米线为在纳米线上形成有Au纳米颗粒的，所述Au纳米颗粒的尺寸为1-10nm。本发明阴极具有极其良好的场发射能力，且开启电池低，性能高效，应用范围广，同时制备工艺简单，操作方便，与现有技术相比较有较低的能耗。 | ||
| 申请公布号 | CN105374652A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510752329.8 | 申请日期 | 2015.11.06 |
| 申请人 | 宁波工程学院 | 发明人 | 杨为佑;陈强;陈善亮 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人 | 张向飞 |
| 主权项 | 一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极，包括基底以及分布于基底上的电极，其特征在于：所述电极中至少部分的材料为纳米线，所述纳米线为在纳米线上形成有Au纳米颗粒的，所述Au纳米颗粒的尺寸为1‑10nm。 | ||
| 地址 | 315000 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号 | ||