| 发明名称 | 具备亚阈值势垒的HEMT外延结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具备亚阈值势垒的HEMT外延结构。其包括由下至上依次形成的Si衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层和外延层，GaN缓冲层用于吸收Si衬底与外延层之间因晶格失配产生的应力，外延层包括由下至上依次形成的AlN/GaN超晶格隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN帽层，GaN掺杂层中的掺杂物为Mg。本发明能够实现毫米波段的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105374870A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510813225.3 | 申请日期 | 2015.11.20 |
| 申请人 | 成都嘉石科技有限公司 | 发明人 | 黎明 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人 | 胡川 |
| 主权项 | 一种具备亚阈值势垒的HEMT外延结构，其特征在于，包括由下至上依次形成的Si衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层和外延层，所述GaN缓冲层用于吸收所述Si衬底与所述外延层之间因晶格失配产生的应力，所述外延层包括由下至上依次形成的AlN/GaN超晶格隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN帽层，所述GaN掺杂层中的掺杂物为Mg。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内 | ||