发明名称 | 三氯硅烷的制备方法及利用方法 | ||
摘要 | 该三氯硅烷的制备方法为冷却反应气体来回收三氯硅烷的三氯硅烷的制备方法。该三氯硅烷的制备方法中,首先使原料四氯化硅与氢气在1000℃以上且1900℃以下的温度下发生转化反应,生成包含三氯硅烷、二氯硅烯、氯化氢和高阶硅烷化合物的反应气体,接着将从转化炉导出的反应气体自冷却开始在0.01秒以内冷却至600℃以上,在2秒以内冷却至500℃以下。接下来,将反应气体在500℃以上且950℃以下的温度范围内保持0.01秒以上且5秒以下的时间。进而,将反应气体冷却至低于500℃。 | ||
申请公布号 | CN102196995B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
申请号 | CN200980143120.4 | 申请日期 | 2009.10.30 |
申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 斋木涉;水岛一树 |
分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 陈万青;王珍仙 |
主权项 | 一种三氯硅烷的制备方法,为冷却反应气体来回收三氯硅烷的三氯硅烷的制备方法,其特征在于,具有:反应气体生成工序,使原料四氯化硅与氢气在1000℃以上且1900℃以下的温度下发生转化反应,生成包含三氯硅烷、二氯硅烯、氯化氢和高阶硅烷化合物的反应气体;第1A冷却工序,将从所述反应气体生成工序后的转化炉导出的反应气体自冷却开始在0.01秒以内冷却至600℃以上,在2秒以内冷却至500℃以下;中间反应工序,将所述第1A冷却工序后的反应气体在700℃以上且950℃以下的温度范围内保持0.01秒以上且5秒以下的时间;和第2冷却工序,将所述中间反应工序后的反应气体冷却至低于500℃。 | ||
地址 | 日本东京 |