双掺杂多晶硅刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种双掺杂多晶硅刻蚀方法，包括：提供包含N型掺杂区域和P型掺杂区域的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成图形化硬掩模层；以图形化硬掩模层为掩模，执行第一刻蚀步骤，去除部分厚度的多晶硅层；继续以图形化硬掩模层为掩模，执行第二刻蚀步骤，去除剩余的多晶硅层；其中，所述第一刻蚀步骤使用的刻蚀气体包括含氮气体和四氟化碳。本发明可在减小N型多晶硅栅和P型多晶硅栅的形貌差异的前提下，保证对硬掩模层具有较高的刻蚀选择比，加大刻蚀步骤的工艺窗口。

主权项

一种双掺杂多晶硅刻蚀方法，包括：提供包含N型掺杂区域和P型掺杂区域的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成图形化硬掩模层；以图形化硬掩模层为掩模，执行第一刻蚀步骤，去除部分厚度的多晶硅层；继续以图形化硬掩模层为掩模，执行第二刻蚀步骤，去除剩余的多晶硅层；其中，所述第一刻蚀步骤使用的刻蚀气体包括含氮气体和四氟化碳，所述四氟化碳占刻蚀气体的比例超过某一预设比例，以弥补N型多晶硅栅与P型多晶硅栅之间的形貌差异，且所述含氮气体中的氮原子与四氟化碳中的碳原子将会结合形成C‑N化合键，从而在所述多晶硅层中被刻蚀的部分形成侧壁保护钝化层，以对硬掩模层具有足够高的刻蚀选择比。