发明名称 自偏置射频电路装置
摘要 本公开描述了自偏置射频电路。在一些方面,射频(RF)信号经由具有第一晶体管(314)和第二晶体管(320)的电路被放大,第一晶体管被配置为向电路的输出(304)发起电流,第二晶体管被配置为从电路的输出(304)吸收电流,并且在没有有源电路装置的情况下从电路的输出(304)向第一晶体管(314)的栅极提供另一信号以偏置电路的输出处的电压。通过这种方式,可以在没有有源电路装置的情况下偏置电路的输出(304),这可以减少电路的设计复杂度和电路所消耗的衬底面积。
申请公布号 CN103314526B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201280005541.2 申请日期 2012.01.12
申请人 马维尔国际贸易有限公司 发明人 朴镇浩;吕远;林莉
分类号 H03F3/30(2006.01)I;H03F1/08(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I;H03F3/195(2006.01)I 主分类号 H03F3/30(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 酆迅
主权项 一种用于放大射频信号的方法,所述方法包括:经由具有第一晶体管和第二晶体管的电路放大射频信号,所述第一晶体管被配置为基于所述射频信号从电源向所述电路的输出发起电流,所述第二晶体管被配置为基于所述射频信号将电流从所述电路的所述输出吸收至电流宿;在没有有源电路装置的情况下,经由电阻器从所述电路的所述输出向所述第一晶体管的栅极提供另一信号以偏置在所述电路的所述输出处的电压,所述电阻器被连接在所述电路的所述输出与所述第一晶体管的所述栅极之间;并且经由与所述电阻器并联连接的电容器来补偿从所述电路的所述输出向所述第一晶体管的所述栅极提供的所述另一信号。
地址 巴巴多斯圣米加勒