发明名称 高性能陶瓷活塞环制造技术
摘要 本发明涉及高性能陶瓷活塞环制造技术。目前,活塞环表面处理技术主要包括电镀铬、表面氮化、PVD与CVD镀膜、等离子喷钼、等离子喷涂陶瓷涂层等,但都存在不同的性能缺陷,达不到理想的效果。本发明采用双层辉光等离子表面冶金技术,使钼(或铬、钛、钨)元素深入普通低合金钢活塞环表层内,再经真空离子碳化和后续热处理,成为具有高硬度、高耐磨性等良好综合机械性能的陶瓷活塞环。
申请公布号 CN103194719B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201210183090.3 申请日期 2012.05.23
申请人 曾云发 发明人 曾云发
分类号 C23C8/38(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C8/38(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制造高性能陶瓷活塞环所用的方法,其特征在于:将低合金钢活塞环与钼材置于极限真空度为8.0Pa的桶形阴极内,桶形阴极的上端开口,活塞环位于和主电源负端相连的阴极座上,钼材设在桶形阴极内壁四周,通入压力为30~40Pa的氩气,偏压为240~450V;逐渐增大主电源电压至500~600V,出现第一次电流突变产生辉光,继续增大主电源电压至600~800V,出现第二次电流突变,形成双层辉光放电,产生800~1000℃高温;钼材溅射出金属原子,又被电离成钼离子,钼离子沿着高温下形成的无数位错、空位晶体缺陷通道深入活塞环表层,再经过真空离子碳化,在活塞环表层形成碳化钼陶瓷层。
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