发明名称 无电荷泵结构的低功耗功率管驱动电路
摘要 本发明提供一种无电荷泵结构的低功耗功率管驱动电路,不需要电荷泵升压电路,通过控制传输门的打开和关闭,来控制N型DMOS功率管的栅源电压,降低芯片设计和使用中的成本和复杂度,增加可靠性。在降低功耗的情况下,通过增加通路,快速泄放传输门中的P型MOS管栅极电荷,从而快速关闭传输门中的P型MOS管,实现H桥上桥臂N型DMOS功率管的快速开启和关闭。
申请公布号 CN103647438B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201310702884.0 申请日期 2013.12.18
申请人 嘉兴中润微电子有限公司 发明人 张明星;王良坤;朱铁柱;夏存宝;陈路鹏;黄武康
分类号 H02M1/088(2006.01)I 主分类号 H02M1/088(2006.01)I
代理机构 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人 丁惠敏
主权项 一种无电荷泵结构的功率管驱动电路,所述功率管为N型DMOS管,其特征在于,包括多个N型MOS管MN0、MN1、P型MOS管MP0、MP1、MP2、MP3、电阻R1、R2、R3以及二极管D0、D1,其中所述P型MOS管MP0的源极通过所述电阻R1连接到电源(VBB),所述P型MOS管MP1的源极通过所述电阻R2连接到所述电源(VBB),所述P型MOS管MP2的源极通过所述电阻R3连接到所述电源(VBB);所述N型MOS管MN0与所述P型MOS管MP3组成传输门,所述N型MOS管MN0的漏极与所述P型MOS管MP3的源极连接,所述N型MOS管MN0的源极与所述P型MOS管MP3的漏极连接;所述N型MOS管MN0的栅极与所述P型MOS管MP0的漏极连接,所述P型MOS管MP3的栅极与所述P型MOS管MP2的漏极连接;所述N型MOS管MN0的漏极与所述P型MOS管MP1的漏极连接;所述二极管D0跨接于所述N型MOS管MN0的栅极和源极之间,所述二极管D0的负极与所述N型MOS管MN0的栅极连接;所述二极管D1跨接于所述P型MOS管MP3的栅极和源极之间,所述二极管D1的正极与所述P型MOS管MP3的栅极连接;所述二极管D0与所述二极管D1为稳压二极管;所述N型MOS管MN1的漏极与所述P型MOS管MP0的漏极连接;所述N型MOS管MN1的源极与地电位GND连接;所述功率管驱动电路还包括数字控制信号CTL、数字控制信号CTL_P以及数字控制信号CTL_N,其中所述数字控制信号CTL_P与所述数字控制信号CTL同相,所述数字控制信号CTL_N与所述数字控制信号CTL信号反相;所述功率管驱动电路还包括将所述数字控制信号CTL通过电平转换电路得到数字控制信号CTL_HP和数字控制信号CTL_HN信号,其中所述数字控制信号CTL_HP与所述数字控制信号CTL同相,所述数字控制信号CTL_HN与所述数字控制信号CTL信号反相,所述数字控制信号CTL_HN与所述数字控制信号CTL_HP在VBB‑5V到VBB之间变化;所述数字控制信号CTL_P为所述N型MOS管MN1的输入信号;所述数字控制信号CTL_HP为所述P型MOS管MP0的输入信号,所述数字控制信号CTL_HN为所述P型MOS管MP1的输入信号;所述P型MOS管MP3的源极与所述功率管的栅极连接,所述P型MOS管MP3的漏极与所述功率管的源极连接。
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