单次性可编程存储器、电子系统、电性熔丝存储器及方法

摘要

本发明公开了单次性可编程内存存储器、电子系统、电性熔丝存储器、可编程电阻性组件内存存储器及其方法。该可编程电阻性组件存储器包括：多个可编程电阻性存储单元，包括：一可编程电阻性组件耦合到第一电源电压线；二极管包括至少一第一主动区和一第二主动区，第一主动区具有第一类型掺杂，第二主动区具有第二类型掺杂，第一主动区域提供二极管的一第一端而该第二主动区提供二极管的一第二端，第一主动区和第二主动区皆位于共同的井里，第一主动区耦合到可编程电阻性组件，第二主动区耦合到一第二电源电压线；第一和第二主动区是从互补式金氧半导体晶体管组件的源极或漏极来制造，可编程电阻性组件经由施加电压到第一和第二电源电压线而编程。

主权项

一种可编程电阻性组件存储器，其特征在于，包括：多个可编程电阻性存储单元，至少有一可编程电阻性存储单元包括：一可编程电阻性组件耦合到第一电源电压线；及一二极管包括至少一第一主动区和一第二主动区，其中该第一主动区具有一第一类型掺杂，该第二主动区具有一第二类型掺杂，该第一主动区域提供该二极管的一第一端而该第二主动区提供该二极管的一第二端，该第一主动区和该第二主动区皆位于一共同的井里，该第一主动区耦合到可编程电阻性组件，而该第二主动区耦合到一第二电源电压线；其中该第一和第二主动区是从互补式金氧半导体晶体管组件的源极或漏极来制造，而井是从CMOS井来制造；该两个主动区作为二极管的两端，被一个假MOS栅极分开；两个不同可编程电阻性存储单元的二极管之间，被一个浅沟槽隔离分开；其中可编程电阻性组件经由施加电压到该第一和第二电源电压线而编程，并改变电阻为不同的逻辑状态。