| 发明名称 | Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N基紫外探测器及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法，该Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN105374903A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510967933.2 | 申请日期 | 2015.12.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵德刚;李晓静;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||