| 发明名称 | 加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种加工方法，其能够将间隔道上的低介电常数绝缘膜和金属图案适当地去除。加工方法构成为包括：遮掩工序，用表面保护部件(23)覆盖形成于被加工物(11)上的器件(17a)的表面，使间隔道(15)露出；湿式喷砂工序，使磨粒分散在溶解金属图案(21)的蚀刻液中并将该磨粒喷射到被加工物上，由此将间隔道上的低介电常数绝缘膜(19)和金属图案去除而使半导体基板(13)露出；以及分割工序，对通过湿式喷砂工序使得半导体基板露出的被加工物实施干蚀刻，沿着间隔道来分割被加工物。 | ||
| 申请公布号 | CN105374673A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510441136.0 | 申请日期 | 2015.07.24 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 西田吉辉;田渕智隆;高桥宏行;横尾晋;冈崎健志 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种加工方法，所述加工方法是在半导体基板的表面上层叠有多个低介电常数绝缘膜和金属图案且在由形成为格子状的间隔道划分出的多个区域中形成有器件的被加工物的加工方法，该加工方法的特征在于，所述加工方法包括：遮掩工序，用表面保护部件覆盖在被加工物上形成的该器件的表面，使该间隔道露出；湿式喷砂工序，使磨粒分散在溶解该金属图案的蚀刻液中并与压缩气体一起喷射到被加工物上，由此将该间隔道上的低介电常数绝缘膜和该金属图案去除而使该半导体基板露出；以及分割工序，对通过该湿式喷砂工序使得该半导体基板露出的被加工物实施干蚀刻，沿着该间隔道来分割被加工物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||