| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在伪栅极侧面形成主要包含氮化物的垫层；将垫层转变为主要包含氧化物的第一阻挡层；在第一阻挡层上依次形成存储层、隧穿层、沟道层；去除伪栅极，在暴露的第一阻挡层上形成第二阻挡层；在第二阻挡层上形成栅极导电层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，将氮化物垫层转变为氧化物阻挡层，能够有效减少缺陷态、抑制阈值电压漂移，改善存储层内电荷横向扩散，提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105374757A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510680798.3 | 申请日期 | 2015.10.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 叶甜春 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在伪栅极侧面形成主要包含氮化物的垫层；将垫层转变为主要包含氧化物的第一阻挡层；在第一阻挡层上依次形成存储层、隧穿层、沟道层；去除伪栅极，在暴露的第一阻挡层上形成第二阻挡层；在第二阻挡层上形成栅极导电层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||