等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

等离子体处理装置包括：形成有使内部空间与处理空间连通的连通孔的电介质部件；隔着内部空间的第一电极和第二电极；将第一处理气体供给到内部空间的第一气体供给机构；第一高频电源，其将第一高频电力供给到第一电极和第二电极中的至少任一者，生成第一处理气体的第一等离子体；减压机构，其将第一等离子体中的自由基和第一处理气体导入至处理空间；第二高频电源，其供给第二高频电力，生成第一处理气体的第二等离子体，并将离子引入至被处理体；和控制部，其控制第一高频电力的全部电功率的大小，调整第二等离子体中的自由基量，控制第一高频电力的比率，调整第二等离子体中的离子量。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：形成处理空间的处理容器；载置被处理体的载置台，其配置于所述处理空间；电介质部件，其以封闭所述处理空间的方式安装于处理容器，形成有内部空间和使该内部空间与所述处理空间连通的连通孔；第一电极和第二电极，其形成于所述电介质部件内，隔着所述内部空间相对；第一气体供给机构，其将用于等离子体处理的第一处理气体供给到所述内部空间；第一高频电源，其通过将第一高频电力供给到所述第一电极和所述第二电极中的至少任一者，生成供给到所述内部空间的所述第一处理气体的第一等离子体；减压机构，其通过对所述处理空间进行减压，将所述第一等离子体中的自由基和所述第一处理气体从所述内部空间经由所述连通孔导入至所述处理空间；第二高频电源，其通过对所述载置台供给第二高频电力，生成导入至所述处理空间的所述第一处理气体的第二等离子体，并将该第二等离子体中的离子引入至所述被处理体；和控制部，其通过控制分别供给到所述第一电极和所述第二电极的所述第一高频电力的全部电功率的大小，来调整从所述内部空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的自由基量，利用该自由基调整所述第二等离子体中的自由基量，通过控制分别供给到所述第一电极和所述第二电极的所述第一高频电力的比率，来调整从所述内部空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的电子量，利用该电子调整所述第二等离子体中的离子量。