发明名称 |
半导体封装及其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体封装及其形成方法。在一个实施例中,一种形成半导体封装的方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方。用封装材料覆盖第一裸片和第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件。使封装件从底表面开始薄化,以露出第一裸片的第一表面而不露出第二裸片。选择性地蚀刻第一裸片的露出的第一表面,以露出第一裸片的第二表面。形成背面导电层,以接触第一表面。通过封装件的第一部分使第二裸片与背面导电层分离。 |
申请公布号 |
CN103325690B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201310088571.0 |
申请日期 |
2013.03.19 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
爱德华·菲尔古特;哈利勒·哈希尼;约阿希姆·马勒 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;李静 |
主权项 |
一种形成半导体封装的方法,所述方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方,所述第一裸片为与所述第二裸片不同类型的裸片;用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件;使所述封装件从所述底表面开始薄化,以露出所述第一裸片的第一表面而不露出所述第二裸片;以及形成接触所述第一裸片的背面导电层,其中,通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市 |