| 发明名称 | 离子布植方法与离子布植机 | ||
| 摘要 | 本发明提出离子布植方法与离子布植机。布植气体与稀释气体被传输至离子源的流量的比例被控制在3:1到20:1之间。布植气体可以是磷化氢、三氟化硼、二氧化碳、四氟化锗、砷化氢、一氧化碳、四氟化碳、氮、四氟化硅或其组合，而稀释气体可以是氢、氦或其组合。当稀释气体同时有氦与氢时，氦与氢的体积比例被控制在1:99到3:17之间。藉由使用这样特定的程序，离子源的使用期限得以延长。 | ||
| 申请公布号 | CN105374655A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510493080.3 | 申请日期 | 2015.08.12 |
| 申请人 | 汉辰科技股份有限公司 | 发明人 | 苏科缙;张国忠;吴铭伟;黄伟铨;杨学人;陈智谦 |
| 分类号 | H01J37/08(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 韦东 |
| 主权项 | 一种离子布植方法，包括：提供布植气体与稀释气体至离子源；激发至少布植气体以在离子源产生电浆；将离子束自电浆引出离子源；以及调整引出的离子束并将调整后离子束布植至底材：其中，布植气体选自下列之一：磷化氢、三氟化硼、二氧化碳、四氟化锗、砷化氢、一氧化碳、四氟化碳、氮、四氟化硅或其组合；其中，稀释气体选自下列之一：氢、氦或其组合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼 | ||