带有芯片尺寸衬底的扇出型半导体器件及制备方法

摘要

本发明一般涉及一种半导体器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中弱化芯片崩裂的风险及获得较小封装尺寸的芯片的封装方法。提供以支持晶圆并在其多个芯片安装区内形成金属互连结构，从而将芯片倒装安装到芯片安装区，其中芯片的多个焊垫与多个金属互连结构一一对准焊接，之后将芯片塑封起来并从减薄的支撑晶圆上切割下来。

主权项

一种带有芯片尺寸衬底的扇出型半导体器件的制备方法，提供一包含有多个芯片的晶圆，且任一芯片的正面均形成有一个或多个焊垫，其特征在于，包括以下步骤：在一虚设晶圆的正面界定呈网格状的多个方形芯片安装区并在每个芯片安装区定义多个通孔预制备区，其中芯片安装区内的通孔预制备区具有与芯片正面的焊垫相重合的布置方式；在通孔预制备区进行钻孔以形成位于虚设晶圆中的通孔；在通孔内形成金属互连结构；将芯片从晶圆上切割分离，并利用导电粘合材料，将一个芯片的任一焊垫和一个芯片安装区的与该焊垫唯一对应的金属互连结构进行对准键合，以便将该一个芯片相应地倒装安装在该一个芯片安装区；利用塑封料形成一覆盖在虚设晶圆正面的塑封层以将安装在虚设晶圆正面的多个芯片包覆在内，其中塑封料还填充在相邻芯片之间的间隙中和填充在芯片的正面和虚设晶圆的正面之间的间隙中；在虚设晶圆的背面进行研磨以将其减薄直至将金属互连结构从虚设晶圆的减薄背面予以外露；对虚设晶圆及塑封层实施切割，其中，塑封层经切割后形成覆盖在芯片背面的底部塑封层、覆盖在芯片侧面的侧部塑封层、覆盖在芯片正面并围绕在导电粘合材料侧壁周围的层间塑封层，虚设晶圆经切割后形成覆盖在层间塑封层上的顶部保护层且金属互连结构均从该顶部保护层中外露。