碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法

摘要

本发明提供在基材12上形成导电氧化物层14的方法。该方法可包括在基材12上从靶材(例如，包括锡酸镉的靶材)溅射透明导电氧化物层(“TCO层”)14，溅射温度为约10℃至约100℃。然后该TCO层可在包含镉的退火温度下退火，退火温度为约500℃至约700℃。形成该TCO层14的方法可在制造基于碲化镉的薄膜光伏器件10的方法中使用，其还包括在该透明导电氧化物层14之上形成硫化镉层18和在该硫化镉层18之上形成碲化镉层20。

主权项

一种在基材(12)上形成导电氧化物层(14)的方法，所述方法包括：在基材(12)上从靶材溅射透明导电氧化物层(14)，其中所述靶材包括锡酸镉，且其中所述透明导电氧化物层(14)在10℃至100℃的溅射温度下溅射；和在500℃至700℃的退火温度下，在包含镉的退火气氛中退火所述透明导电氧化物层(14)，其中所述退火气氛包含有机镉气体，或者所述方法还包括加热金属镉源以向所述退火气氛提供镉气体。