一种核壳结构粉体及其聚合物基介电复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种核壳结构粉体及其聚合物基介电复合材料的制备方法，属于复合材料技术领域。本发明将碳化硅热氧化处理生成包覆二氧化硅壳层的SiC@SiO₂核壳结构粉体，将其加入到PVDF树脂稀释液中，加热，蒸干溶剂，得到SiC@SiO₂核壳结构粉体的聚合物基介电复合材料，所述复合材料具有较低的介电损耗，有效地避免了半导体功能相因相互接触而形成漏导，具有较高的介电常数和较高力学强度和韧性。所述制备方法造价低廉、操作简单。

主权项

一种核壳结构粉体及其聚合物基介电复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下几个步骤，步骤一：制备SiC@SiO₂核壳结构粉体；将碳化硅颗粒或晶须放置到旋转管式热氧化设备中，热氧化处理；冷却，取出，得到SiC@SiO₂核壳结构粉体；步骤二：制备聚偏氟乙烯树脂稀释液；称取聚偏氟乙烯树脂，将其加入到氮,氮‑二甲基甲酰胺溶剂中，加热，磁力搅拌，得到聚偏氟乙烯树脂稀释液；所述的聚偏氟乙烯和氮,氮‑二甲基甲酰胺溶剂的质量比满足1:20～1:60；步骤三：制备悬浮液；将步骤一制得的SiC@SiO₂核壳结构粉体加入到步骤二中配置好的聚偏氟乙烯树脂稀释液中，超声震荡，磁力搅拌，得到悬浮液；所述SiC@SiO₂核壳结构粉体和聚偏氟乙烯树脂稀释液的质量比满足1:20～1:40；步骤四：制备SiC@SiO₂核壳结构粉体的聚合物基介电复合材料；将步骤三中制备的悬浮液倒入洁净的带加热底盘的玻璃表面皿模具中，将玻璃表面皿模具置于水平校正的加热台上，加热，蒸干溶剂，得到SiC@SiO₂核壳结构粉体的聚合物基介电复合材料。