形成用于半导体装置的接点结构的方法及生成的装置

摘要

本申请揭示形成用于半导体装置的接点结构的方法及生成的装置。该方法包括，除其它外，一种形成接点结构在晶体管装置的源极/漏极区域的方法。该晶体管装置包含栅极结构及位在该栅极结构上方的栅极覆盖层。该方法包含形成传导耦接至该源极/漏极区域的延伸高度外延接点结构。该延伸高度外延接点结构包含位在该栅极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面。该方法更包含执行蚀刻工艺以缩减至少部分该延伸高度外延接点结构的侧向宽度，并且，在执行该蚀刻工艺之后，形成金属硅化物材料在至少部分经缩减的延伸高度的磊晶接点结构上及形成传导接点在该金属硅化物材料上。

主权项

一种形成接点结构在晶体管装置的源极/漏极区域的方法，该晶体管装置包括栅极结构及位在该栅极结构上方的栅极覆盖层，该方法包括：形成传导耦接该源极/漏极区域的延伸高度外延接点结构，该延伸高度外延接点结构包括位在该栅极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面；执行至少一道蚀刻工艺以缩减至少部分该延伸高度外延接点结构的侧向宽度；在执行该至少一道蚀刻工艺之后，形成金属硅化物材料在至少部分经缩减的延伸高度外延接点结构上；以及形成传导接点在该金属硅化物材料上。