| 发明名称 | 用于电子器件的电极表面改性层 | ||
| 摘要 | 公开了制备有机电子器件的改性电极的方法，其中所述改性电极包含表面改性层，该方法包括：(i)向所述电极的至少一个表面的至少一部分上沉积包含M(tfd)<sub>3</sub>和至少一种溶剂的溶液，其中M是Mo、Cr或W；和(ii)去除至少一些所述溶剂以在所述电极上形成所述表面改性层。 | ||
| 申请公布号 | CN105378960A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201480040221.X | 申请日期 | 2014.07.11 |
| 申请人 | 剑桥显示技术有限公司 | 发明人 | C·纽桑姆 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王海宁 |
| 主权项 | 一种制备用于有机电子器件的改性电极的方法，其中所述改性电极包含表面改性层，该方法包括：(i)使包含M(tfd)<sub>3</sub>和至少一种溶剂的溶液沉积到所述电极的至少一个表面的至少一部分上，其中M是Mo、Cr或W；和(ii)去除至少一些所述溶剂以在所述电极上形成所述表面改性层。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||