发明名称 RRAM TOP ELECTRODE BLOCKING LAYER FOR RRAM DEVICE
摘要 기판 위에 형성된 저항 변화형 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 셀을 포함한 집적 회로 디바이스를 제공한다. RRAM 셀은 상부 표면을 가진 상부 전극을 포함한다. 차단 층은 상기 상부 표면의 일부를 덮는다. 비아는 유전체 매트릭스 내에서 상기 상부 전극 위로 연장된다. 상부 전극의 상부 표면은 상기 차단 층과 인터페이스하는 영역 및 상기 비아와 인터페이스하는 영역을 포함한다. 상기 비아와 인터페이스하는 상부 표면의 영역은 상기 차단 층과 인터페이스하는 상부 표면의 영역을 둘러싼다. 차단 층은 위에 있는 비아와 상부 전극 간의 접촉을 방해하지 않게 하는 방식으로 구성되면서 RRAM 셀을 에칭 손상으로부터 보호하도록 공정 중에 기능한다.
申请公布号 KR101598716(B1) 申请公布日期 2016.02.29
申请号 KR20140163527 申请日期 2014.11.21
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 천 시아웨이;추 웬팅;투 쿠오치;장 치양;양 친치에;리아오 유웬;유 웬춘;시 셍헝
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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