| 摘要 |
메모리 소자의 형성방법을 제공한다. 기판 상에 하부전극을 형성하고, 상기 하부전극 상에 제 1 식각방지층 및 제 2 식각방지층을 적층하고, 상기 식각방지층 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층과 상기 식각방지층을 패터닝하여 상기 하부전극을 노출시키는 리세스 영역을 형성하고, 상기 리세스 영역에 가변저항 물질층을 형성하고, 그리고 상기 가변저항 물질층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제 1 식각방지층은 상기 제 2 식각방지층과 식각선택도가 있다. |
