| 摘要 |
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판상에 BTO 박막을 형성하는 단계; 상기 BTO 박막에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 층 표면을 노광 마스크를 통하여 노광시키는 노광 단계; 상기 노광된 부분을 현상시키는 현상단계; 상기 현상된 포토레지스트층에 전자빔 증착에 의한 금속화 공정을 포함하여 금속 새도 마스크(shadow mask)층을 형성하는 단계; 및 유도결합플라즈마(ICP) 에칭 시스템의 작업 챔버 내에서 상기 새도 마스크(shadow mask)층이 형성된 BTO 박막 기판층에 SF/O/Ar 기체를 50 ~ 100/0 ~ 10/ 0 ~ 20 sccm 범위의 유속으로 토출하여 미세 패턴으로 에칭하는 에칭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법이 제공된다. |
