发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING SUCH A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
摘要 본 발명은 적어도 하나의 반도체 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은, 적어도 하나의 반도체 실리콘 표면(111)을 포함하는 기판(110)을 제공하는 단계; 상기 반도체 실리콘 표면(111)의 적어도 하나의 부분과 접촉하는 비정질 실리콘 카바이드층(120)을 형성하는 단계; 상기 실리콘 카바이드층(120)과 접촉하는 상기 적어도 하나의 반도체 구조물을 형성하되, 상기 구조물이 접촉부로 불리며 갈륨을 포함하는 적어도 하나의 부분을 포함하며, 상기 적어도 하나의 부분이 상기 실리콘 카바이드층(120)의 표면과 접촉하는 상기 적어도 하나의 반도체 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한 이러한 방법으로 형성된 구조물을 포함하는 성분(100)에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160021782(A) 申请公布日期 2016.02.26
申请号 KR20157035709 申请日期 2014.06.19
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 AMSTATT BENOIT;DAUDIN BRUNO JULES
分类号 H01L33/12;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/16;H01L33/24 主分类号 H01L33/12
代理机构 代理人
主权项
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