发明名称 Optical semiconductor device having transition metal dechalcogenides
摘要 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 광 반도체 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 광 반도체 소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제1면 및 제2면을 가지는 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 감광층; 상기 감광층의 제1면과 전기적으로 연결되는 제1전극; 상기 감광층의 제2면과 전기적으로 연결되는 제2전극; 및 상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 스위치 소자를 포함하여 구성될 수 있다.
申请公布号 KR101595429(B1) 申请公布日期 2016.02.26
申请号 KR20140062101 申请日期 2014.05.23
申请人 엘지전자 주식회사 发明人 최민석;김태형;문진산;정명희
分类号 H01L27/146;H01L31/115 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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