发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Verbundes und eines Halbleitermoduls
摘要 Verfahren zur Herstellung eines wenigstens eines Verbundes, bei dem jeweils wenigstens zwei Fügepartner (11, 12) fest miteinander verbunden werden, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halterahmens (100), der einen Aufnahmebereich (110) aufweist, sowie eines Arbeitszylinders (120), der einen maximal möglichen Hub (Hmax) von kleiner oder gleich 5 mm aufweist; Bereitstellen einer Anzahl von N ≥ 1 Druckkammer(n) (7), von denen jede ein erstes Gehäuseelement (71) und ein zweites Gehäuseelement (72) aufweist; und wobei für jede Druckkammer (7) die folgenden Schritte durchgeführt werden: – Bereitstellen eines ersten Fügepartners (11), eines zweiten Fügepartners (12), eines Verbindungsmittels (10) und eines Dichtmittels (4); – Bestücken der Druckkammer (7) mit dem ersten Fügepartner (11), dem zweiten Fügepartner (12) und dem Verbindungsmittel (10) derart, dass sich das Verbindungsmittel (10) zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem zweiten Fügepartner (12) befindet, wobei zumindest das Verbindungsmittel (10) in einem ersten Kammerbereich (61) der Druckkammer (7) angeordnet ist; – Einlegen der bestückten Druckkammer (7) in den Aufnahmebereich (110); – Anpressen des jeweiligen ersten Gehäuseelementes (71) an das jeweilige zweite Gehäuseelement (72), indem die in den Aufnahmebereich (110) eingelegte Druckkammer (7) mit Hilfe des Arbeitszylinders (120) zwischen dem Arbeitszylinder (120) und dem Halterahmen (100) eingespannt wird; – Erzeugen eines zweiten Gasdrucks (p62) in einem zweiten Kammerbereich (62) der Druckkammer (7), der höher ist als ein erster Gasdruck (p61) im ersten Kammerbereich (61), so dass der erste Fügepartner (11), der zweite Fügepartner (12) und das zwischen diesen befindliche Verbindungsmittel (10) aneinander gepresst werden.
申请公布号 DE102012212249(B4) 申请公布日期 2016.02.25
申请号 DE201210212249 申请日期 2012.07.12
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HONG, TAO
分类号 H01L21/98;H01L21/50;H01L21/58;H01L25/00 主分类号 H01L21/98
代理机构 代理人
主权项
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