Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung umfasst die Schritte des Herstellens eines Siliziumkarbid-Substrats (100) (S101), Bilden einer ersten Elektrode (110) auf dem Siliziumkarbid-Substrat (100) (S104), Herstellen eines ohmschen Kontakts zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat (100) und der ersten Elektrode (110) durch Bestrahlen der ersten Elektrode (110) mit Laserstrahlen (S105), und Bilden einer zweiten Elektrode (120) auf der ersten Elektrode (110) (S106). Im Schritt des Herstellens eines ohmschen Kontakts (S105) wird eine Oberfläche der ersten Elektrode mit Laserstrahlen bestrahlt, so dass der arithmetische Mittenrauwert einer Oberfläche der zweiten Elektrode nicht größer als 0,2 μm ist.