发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 In einer Halbleitervorrichtung, welche eine Energieversorgungsspannung aus einem durch eine Antenne empfangenen RF-Trägersignal durch das Verwenden eines Gleichrichtungsschaltkreises erzeugt, wobei Gleichrichtungsschaltkreise, welche jeweils eine Vielzahl von Kondensatoren und eine Vielzahl von Dioden umfassen, mehrstufig verbunden sind. Die Gleichrichtungsschaltkreise umfassen Begrenzerschaltkreise, welche bei einer Spannung größer als eine Ein-Spannung der Dioden eingeschaltet werden, Kathoden der Dioden bei einer ersten Spannung festklammern. Die Begrenzerschaltkreise und die Dioden sind parallel zwischen den mit dem Antennenverbindungsanschluss verbundenen Kondensatoren und einem mit einem Referenzpotenzial VSS der Energieversorgungsspannung versorgten Knoten verbunden.
申请公布号 DE102015214251(A1) 申请公布日期 2016.02.25
申请号 DE201510214251 申请日期 2015.07.28
申请人 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 发明人 SUGATA, AKIHIKO;NOZOE, KOHJI;NINOMIYA, TSUZUMI;FUJIOKA, SHINYA
分类号 G06K19/07;H04B1/59;H04B5/00 主分类号 G06K19/07
代理机构 代理人
主权项
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