| 摘要 |
深い凹状のＰ＋接合を有するトランジスタデバイスが開示されている。トランジスタデバイスは、トランジスタデバイスの上面上にゲートおよびソースを備え、少なくとも１つのドープウェル領域を含んでおり、少なくとも１つのドープウェル領域は、トランジスタデバイス内のソース領域の導電型とは異なる第１導電型を有し、少なくとも１つのドープウェル領域は、トランジスタデバイスの上面から所定の深さだけ凹んでいる。深い凹状のＰ＋接合は、ソースコンタクト領域内の深い凹状のＰ＋埋め込み接合であってもよい。深い凹状のＰ＋接合は、トランジスタデバイスにおける終端構造より深くてもよい。トランジスタデバイスは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ＭＯＳＦＥＴデバイスであってもよい。 |
